檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "Hung-Yin Tsai".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="陳炤彰"
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在半導體產業中，晶圓於化學機械拋光/平坦化(Chemical Mechanical Polishing /Planarization, CMP)過程中，下壓力變化可能會產生如表面刮傷、翹曲及腐蝕等缺…
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單晶藍寶石(Sapphire)是一種高透光性、耐高溫且高硬度的化合物半導體材料，然而也因單晶藍寶石之高硬度和化學穩定性，目前此類晶圓基板的生產大多以鑽石線鋸(Diamond Wire Sawing,…
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在化學機械平坦化製程中，化學拋光液和晶圓移除的殘屑可能會積 聚在拋光墊表面，通過修整製程去除這些殘屑。故此拋光墊修整對於 CMP 性能至關重要且影響 IC 製造良率。本研究主要針對比較行星式修 整和…
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固定式磨料或鑽石線鋸切割技術（DWS）隨著技術的進步已逐漸被開發為游離磨料線鋸切削（SWS）的潛在替代品，可用於對硬質和脆性材料進行切片。儘管此技術有許多優點，DWS工藝仍會在切割表面上造成粗糙度、…
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化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是半導體製造中最關鍵的製程且廣泛應用。了解拋光墊與晶圓接觸的機械相互作用以及晶圓表面的化學變化對於CMP製程的材料…